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詳細介紹
| 品牌 | Micro-Hybrid | 應用領域 | 綜合 |
|---|
基于C-MOSI的紅外輻射源，TO46型
基于C-MOSI的紅外輻射源，TO46型
描述
JSIR340-4型經濟實惠的紅外輻射源專為NDIR氣體分析和其他紅外測量應用而優化，如直接紅外光譜法、衰減全反射光譜法或光聲光譜法。基于CMOS的紅外輻射源的膜片可達到高達800°C的溫度。它能夠為工業應用提供長期穩定的輻射輸出，用于在環境溫度為-20至85°C之間控制和監測過程氣體。
硅濾波器優化了從紫外到15.5微米波長范圍內的輻射輸出。
作為SMD封裝，JSIR340特別適合自動拾放裝配和大批量生產。
我們紅外輻射源中使用的MEMS芯片包含一個多層熱板膜片，內含一個高溫穩定的金屬CMOSI層。發射器芯片的有效面積為2.2 x 2.2平方毫米，基于硅襯底并采用背刻蝕膜技術。所有薄膜工藝均采用標準MEMS工藝和CMOS兼容材料完成。活性C-MOSI電阻層免受老化和環境影響。
應用
l非色散紅外氣體檢測
l衰減全反射光譜法
l直接紅外光譜法
l光聲光譜法
目標氣體
l二氧化碳（CO2）
l甲烷（CH4）
l丙烷（C3H8）
l乙醇（C2H5OH）
l其他紅外活性氣體
特點
l成本效益高的組件
l標準MEMS技術
lCMOS兼容制造工藝
l有效的自動化裝配工藝，采用SMD封裝
l熱板溫度高達740°C
l適當的輻射輸出
l由于熱質量低，調制深度高
技術參數
技術參數 | TO39 open | SMD Si ARC | 單位 |
光譜輸出范圍 | 2 ... 15 | 2 ... 15 | μm |
有效面積 | 2.2 x 2.2 | 2.2 x 2.2 | mm2 |
耐熱1 | 19 ± 5 | 17 ± 5 | Ω |
溫度系數2 | typ. 1 200 | typ. 1 000 | ppm/K |
時間常數0-63% | typ. 13 | typ. 11.5 | ms |
標稱功耗3 | 650 | 650 | mW |
工作電壓4 | typ. 3.5 | typ. 3.3 | V |
工作電流4 | typ. 180 | typ. 200 | mA |
推薦驅動模式 | Power mode | Power mode | |
活動區域溫度1,5,6 | 600 ± 30 | 500 ± 30 | °C |
窗口 | open | Si ARC | |
外殼 | TO39 | SMD | |
預計使用壽命7,8 | > 5 000 h at 740 °C > 100 000 h at 600 °C | > 5 000 h at 640 °C > 100 000 h at 500 °C | |
絕對最大額定值 | |||
輸入功率3,5 | 1 000 | 1 000 | mW |
外殼溫度8 | 200 | 200 | °C |
活動區域溫度 | 740 | 640 | °C |
1. 額定功率下的單位
2. 25°C - 700°C
3. 功率開啟狀態
4. 帶有25Ω熱電阻
5. 環境溫度為25°C時
6. 通過紅外相機（0.7-1.1μm）測量的熱點溫度降低10%后的溫度分布平均值
7. 連續模式下，平均排除故障時間（MTTF）為63%（膜斷裂，基于阿倫尼烏斯定律的計算值）
8. 包括環境溫度
典型操作特性
電氣示意圖
電路
等效電路圖
機械制圖
TO39底部
SMD底部
截面圖-TO39 reflector open
截面圖-SMD with filter
產品概述
型號 | 類型 | 填充氣體 | 低溫度 | 最高溫度 | 光圈 | 窗口 |
JSIR340-4-AL-R-D6.0-0-0 | TO39 with reflector | None | -20 °C | 180 °C | 6.0 mm | Open |
JSIR340-4-CB-0-S5.0-Air-A7 | SMD | None | -20 °C | 85 °C | 5.0 x 5.0 mm2 | Si ARC |
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