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簡要描述：基于C-MOSI的紅外輻射源，TO39封裝：JSIR340-4型經(jīng)濟實惠的紅外輻射源專為NDIR氣體分析和其他紅外測量應(yīng)用而優(yōu)化，如直接紅外光譜法、衰減全反射光譜法或光聲光譜法。基于CMOS的紅外輻射源的膜片可達到高達800°C的溫度。它能夠為工業(yè)應(yīng)用提供長期穩(wěn)定的輻射輸出，用于在環(huán)境溫度為-20至85°C之間控制和監(jiān)測過程氣體及相關(guān)氣體。帶有標(biāo)準(zhǔn)TO封裝和蓋子的包裝版本適合測量距離長達2厘米。
產(chǎn)品品牌：Micro-Hybrid廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商更新時間：2026-02-27訪 問 量：1780詳細介紹
| 品牌 | Micro-Hybrid | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
|---|
基于C-MOSI的紅外輻射源，TO39封裝
基于C-MOSI的紅外輻射源，TO39封裝
描述
JSIR340-4型經(jīng)濟實惠的紅外輻射源專為NDIR氣體分析和其他紅外測量應(yīng)用而優(yōu)化，如直接紅外光譜法、衰減全反射光譜法或光聲光譜法。基于CMOS的紅外輻射源的膜片可達到高達800°C的溫度。它能夠為工業(yè)應(yīng)用提供長期穩(wěn)定的輻射輸出，用于在環(huán)境溫度為-20至85°C之間控制和監(jiān)測過程氣體及相關(guān)氣體。帶有標(biāo)準(zhǔn)TO封裝和蓋子的包裝版本適合測量距離長達2厘米。
我們紅外輻射源中使用的MEMS芯片包含一個多層熱板膜片，內(nèi)含一個高溫穩(wěn)定的金屬CMOSI層。發(fā)射器芯片的有效面積為2.2 x 2.2平方毫米，基于硅襯底并采用背刻蝕膜技術(shù)。所有薄膜工藝均采用標(biāo)準(zhǔn)MEMS工藝和CMOS兼容材料完成。活性C-MOSI電阻層免受老化和環(huán)境影響。
應(yīng)用
lNDIR氣體檢測
l衰減全反射光譜法
l直接紅外光譜法
l光聲光譜法
目標(biāo)氣體
l二氧化碳、一氧化碳、一氧化二氮、氨氣、二氧化硫、六氟化硫以及成熟氣體如乙烯(C2H4)和乙炔(C2H2)
特點
l由于芯片膜片的低熱質(zhì)量，時間常數(shù)為11毫秒
l高膜片溫度高達770°C，有效芯片面積為2.2 x 2.2平方毫米
l長期穩(wěn)定的芯片結(jié)構(gòu)
l光譜帶寬從2到15微米
lCMOSI芯片技術(shù)
技術(shù)參數(shù)
技術(shù)參數(shù) | 值 | 單位 |
光譜輸出范圍 | 2 ... 15 | μm |
有效面積 | 2.2 x 2.2 | mm2 |
耐熱1 | 18 ± 5 | Ω |
溫度系數(shù)2 | 1100 | ppm/K |
時間常數(shù)0-63% | 11 | ms |
標(biāo)稱功耗3 | 650 | mW |
工作電壓4 | 3.4 | mV |
工作電流4 | 190 | mA |
推薦驅(qū)動模式 | Power mode | |
活動區(qū)域溫度1,5,7 | 540 ± 30 | °C |
外殼 | TO39 | |
預(yù)計使用壽命6,8 | > 5000 h at 770 °C; > 100000 h at 540 °C | |
最大輸入功率 | 1200 | mW |
外殼最高溫度8 | 185 | °C |
活動區(qū)域最高溫度 | 770 | °C |
1. 在額定功率下
2. 25°C - 770°C
3. 在通電狀態(tài)下
4. 帶有18Ω熱電阻
5. 環(huán)境溫度為25°C時
6. 連續(xù)模式下，平均排除故障時間（膜片破裂）為63%，計算值基于阿倫尼烏斯方程
7. 通過紅外相機測量（0.7 - 1.1微米），熱點溫度降低10%的平均溫度分布
8. 包括環(huán)境溫度
典型操作特性
電氣示意圖
電路
等效電路圖
機械制圖
底部
截面圖
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